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J-GLOBAL ID：200903000899538531

柱状ナノ構造体(ナノロッド)を利用し発光ダイオード(LED)の発光効率を引き上げる方法

Inventor：
黄泓文

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盧廷昌

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邱清華

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郭浩中

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王興宗

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Applicant, Patent owner：
国立交通大学

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Agent (1)： ▲吉▼川 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007289058
Publication number (International publication number)：2008306156
Application date： Nov. 06, 2007
Publication date： Dec. 18, 2008
Summary：
【課題】光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用して酸化反応を起こし、柱状ナノ構造体を有する発光ダイオード(LED)を形成する。【解決手段】発光ダイオード(LED)の表面に薄膜金属層をめっきし、それを熱処理した後で金属の顆粒でマスクを形成し、マスクで保護されていない部分にエッチング処理を施し、金属顆粒マスクを取り外して柱状ナノ構造体(ナノロッド)を形成し、続いて、柱状ナノ構造体(ナノロッド)が形成された発光ダイオード(LED)を光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用、それに一定の電流を流し、さらに水銀灯の光を照射し、P型半導体材料を除き、材料の表面積に酸化層106を形成し、最後に再度金属層107をめっきし、P型半導体材料を導通して、柱状ナノ構造体(ナノロッド)を有する発光ダイオード(LED)を形成する。【選択図】図1F
Claim (excerpt)：
サファイア基板と、 サファイア基板の上にあるP型GaN(窒化ガリウム)層と、 P型GaN(窒化ガリウム)層の上にある多重量子井戸と、 多重量子井戸の上にあるN型GaN(窒化ガリウム)層を備え、 N型GaN(窒化ガリウム)層の表面に金属薄層を形成し、 それに素早く熱処理を施すことで複数の金属顆粒を形成し、 N型GaN(窒化ガリウム)層と前記多重量子井戸にエッチングを施し、 複数の前記金属顆粒をマスクとし、 複数の柱状ナノ構造体(ナノロッド)を形成し、 複数の前記柱状ナノ構造体(ナノロッド)には複数の前記金属顆粒が含まれ、 前記N型GaN(窒化ガリウム)層と前記多重量子井戸により、 残留した複数の前記金属顆粒を取り除き、 前記柱状ナノ構造体(ナノロッド)の一部を取り除いたものを電極とし、 光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用した酸化工程では、 酸化層で複数の前記柱状ナノ構造体(ナノロッド)を被覆し、 前記酸化層に金属層をめっきし、 前記電極部分をP型GaN(窒化ガリウム)層と連結させオーム接触を形成し、 これにより柱状ナノ構造体(ナノロッド)を有する発光ダイオード(LED)を形成する ことを特徴とする柱状ナノ構造体(ナノロッド)を利用し発光ダイオード(LED)の発光効率を引き上げる方法。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 C
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041CB36
Patent cited by the Patent：
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Cited by examiner (5)
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