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J-GLOBAL ID:200903054234975011
半導体発光素子製造方法および半導体発光素子
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
横井 俊之
, 岩上 渉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004251468
Publication number (International publication number):2005354020
Application date: Aug. 31, 2004
Publication date: Dec. 22, 2005
Summary:
【課題】 光の取り出し効率が極めて高い半導体発光素子製造方法および半導体発光素子の提供を課題とする。【解決手段】 本発明においては、光の平均光学波長の2倍以下の周期で形成された周期構造A1を半導体発光素子10の光の取り出し面に形成することにより、光の取り出し面における屈折率の差を緩和することができる。従って、光の取り出し面における反射を防止することができ、高い光の取り出し効率を実現することができる。さらに、Au薄膜を加熱することにより微細な周期マスクを形成することができるため、周期構造A1を簡易かつ安価に形成することができる。【選択図】 図7
Claim (excerpt):
基板上に少なくともn型半導体層とp型半導体層とからなる発光部を積層してなる半導体発光素子を作成する半導体発光素子製造方法において、
平均周期が上記発光部にて発光される光の平均光学波長の2倍以下となる周期状のパターンを有する周期マスクを形成するマスク形成工程と、
同周期マスクを用いて平均周期が上記平均光学波長の2倍以下となる周期状の周期構造を形成する周期構造形成工程とを具備することを特徴とする半導体発光素子製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (5):
5F041AA03
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CB13
, 5F041CB15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-179915
Applicant:株式会社東芝
Cited by examiner (11)
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半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-278057
Applicant:東北大学長
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半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-179915
Applicant:株式会社東芝
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半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-010571
Applicant:株式会社東芝
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発光素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-379576
Applicant:株式会社東芝
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半導体発光素子および発光ランプ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-069421
Applicant:三洋電機株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-100215
Applicant:日亜化学工業株式会社
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光起電力素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-248944
Applicant:キヤノン株式会社
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フレキシブル銅張板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-123456
Applicant:住友電工プリントサーキット株式会社
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GaN系半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-058733
Applicant:三菱電線工業株式会社
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内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-542397
Applicant:クリーインコーポレイテッド
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III族窒化物系化合物半導体発光素子用の基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-398451
Applicant:豊田合成株式会社
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