半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：春日讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999108427
Publication number (International publication number)：2000299343
Application date： Apr. 15, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】鉛フリーはんだを搭載して半導体チップとプリント基板間を電気的に接続する半導体装置において、はんだ直下の拡散防止層、金属配線又は絶縁膜の割れや剥離の発生を抑制することができる半導体装置を実現する。【解決手段】局所的に除去された絶縁膜8の形状は複数の開口部を有し開口寸法wは100ミクロン以下で、厚みtは1ミクロン以上である。この開口部ははんだ3と接合される拡散防止層9、金属配線7又は絶縁膜8、6の割れを防止する。はんだ材料と他の部分の材料とに熱膨張係数差があると温度環境変化で熱応力が発生し、その応力は開口寸法が大きい程、単調に増加し100ミクロン以上で膜の破壊限界を超えるので上記寸法を100ミクロン以下とする必要がある。また、開口部が複数なのではんだボール3と拡散防止層9との接合界面に段差が形成されこの段差がはんだボール3の層内の亀裂進展の妨げとなる。

Claim (excerpt)：

半導体素子を形成した半導体チップが鉛フリーはんだでプリント基板に電気的に接続される半導体装置において、上記鉛フリーはんだは、半導体素子形成面に形成された絶縁膜上に配置され、はんだ材料の拡散を防止する拡散防止層を介して金属配線と接しており、上記拡散防止層と上記金属配線とが同一平面上で互いに連続的に接する領域の寸法が100ミクロン以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 , H01L 21/60 311 , H01L 21/28 301

FI (4)：

H01L 21/92 602 L , H01L 21/60 311 Q , H01L 21/28 301 R , H01L 21/92 602 H

F-Term (10)：

4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB18 , 4M104FF06 , 4M104FF11 , 4M104FF17 , 4M104HH09 , 5F044KK01 , 5F044QQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280034 Applicant：株式会社日立製作所
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-065419 Applicant：株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
半導体装置の突起電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-127790 Applicant：シチズン時計株式会社

Cited by examiner (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280034 Applicant：株式会社日立製作所
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-065419 Applicant：株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
半導体装置の突起電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-127790 Applicant：シチズン時計株式会社

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