Pat
J-GLOBAL ID:200903001292642530
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 章夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004095919
Publication number (International publication number):2005285991
Application date: Mar. 29, 2004
Publication date: Oct. 13, 2005
Summary:
【課題】高精度なリソグラフィ技術を不要にして付加抵抗を含む配線を容易に製造し、リソグラフィ工程におけるマージンを緩和してメモリセルサイズの縮小化を図る。【解決手段】ポリシリコン層104上にシリサイド層107を有するサリサイド構造のゲート電極を備えるトランジスタを形成し、層間絶縁膜110を形成し、ゲート電極に接続するためのコンタクトホール112を開口し、コンタクトホールの底面に露呈されたシリサイド層107を除去し、コンタクトホールを通してゲート電極に接続されるノード配線111(NL1,NL2)を形成し、シリサイド層が存在しないコンタクトを高抵抗化して付加抵抗とする。コンタクトホールを利用した自己整合法によってシリサイド層を除去しているので、高精度のリソグラフィ工程が不要で製造が容易になり、リソグラフィ工程でのマージンを低減し、メモリセルサイズを縮小化する。【選択図】図3
Claim (excerpt):
半導体層上にシリサイド層を有するサリサイド構造の導体層を備える半導体装置であって、前記導体層は上層配線に接続するコンタクト接続領域にのみ前記シリサイド層が存在しないことを特徴とする半導体装置。
IPC (7):
H01L21/8244
, H01L21/28
, H01L21/3205
, H01L21/768
, H01L27/11
, H01L29/423
, H01L29/49
FI (6):
H01L27/10 381
, H01L21/28 L
, H01L21/28 301D
, H01L29/58 G
, H01L21/90 A
, H01L21/88 Q
F-Term (59):
4M104BB01
, 4M104BB20
, 4M104BB25
, 4M104CC05
, 4M104DD02
, 4M104DD07
, 4M104DD08
, 4M104DD09
, 4M104DD11
, 4M104DD21
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104DD71
, 4M104DD75
, 4M104DD84
, 4M104FF13
, 4M104FF14
, 4M104FF26
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG16
, 4M104HH20
, 5F033HH08
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK04
, 5F033KK25
, 5F033KK27
, 5F033MM07
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033NN17
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ19
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ31
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ58
, 5F033QQ70
, 5F033RR04
, 5F033TT08
, 5F033VV06
, 5F033VV16
, 5F033XX00
, 5F083BS01
, 5F083BS13
, 5F083BS27
, 5F083BS46
, 5F083GA18
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083JA40
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (11)
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-243292
Applicant:三菱電機株式会社
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-076115
Applicant:川崎製鉄株式会社
-
平2-150062号公報
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-161379
Applicant:三菱電機株式会社
-
特開平2-129915
-
特開平4-003962
-
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-068185
Applicant:三菱電機株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-079319
Applicant:三菱電機株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-022913
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-187014
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-366730
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
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Cited by examiner (8)
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特開平2-129915
-
特開平4-003962
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半導体装置および半導体装置の製造方法
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Application number:特願平5-068185
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体装置の製造方法
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Application number:特願平4-079319
Applicant:三菱電機株式会社
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半導体装置
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Application number:特願2004-022913
Applicant:株式会社東芝
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半導体装置及びその製造方法
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Application number:特願2003-187014
Applicant:富士通株式会社
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半導体装置および半導体装置の製造方法
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Application number:特願2002-366730
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
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半導体記憶装置
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Application number:特願2002-161379
Applicant:三菱電機株式会社
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