半球形シリコンの製造方法及び半球形シリコンを利用した半導体素子のキャパシタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：荒船博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997161565
Publication number (International publication number)：1998084089
Application date： Jun. 18, 1997
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は半球形シリコンが形成される下部のシリコン層のドーピングの有無、及び結晶構造に係りなく、一定の条件で半球形シリコンを形成させるため、下部のシリコン層の表面に薄い酸化膜を形成させた後、半球形シリコンを形成させるものである。【解決手段】半球形シリコンの製造方法において、半球形シリコンが蒸着される下部シリコン層の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程と、シリコン層の表面に薄い酸化膜を形成する工程と、前記薄い酸化膜表面に半球形シリコンを形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半球形シリコンが蒸着される下部シリコン層の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程と、シリコン層の表面に薄い酸化膜を形成する工程と、前記薄い酸化膜表面に半球形シリコンを形成する工程と、を含む半球形シリコンの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半球粒状面性多結晶シリコンの均一ドーピング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-140710 Applicant：マイクロン・セミコンダクター・インコーポレイテッド
特開昭60-247928
基板の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-165353 Applicant：住友金属工業株式会社

Show all

Return to Previous Page