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J-GLOBAL ID：200903001448930280

セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置

Inventor：
名取 栄治

About 名取 栄治

, 
木島 健

About 木島 健


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002371522
Publication number (International publication number)：2004207304
Application date： Dec. 24, 2002
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：
【課題】良好な特性を有するセラミックス膜の製造方法、およびこの製造方法により得られるセラミックス膜を提供する。セラミックス膜と電極との間の界面を改善し、疲労特性を向上させることができる強誘電体キャパシタの製造方法、およびこの製造方法により得られる強誘電体キャパシタを提供する。このセラミックス膜または強誘電体キャパシタが適用された半導体装置を提供する。【解決手段】基体10上に下部電極20を形成し、複合酸化物を含む原材料体30を、2気圧以上に加圧され、かつ体積比10%以下の酸素を含む雰囲気中および100°C/分以下の昇温速度の条件で熱処理することにより、下部電極20の上に複合酸化物を構成する第1金属と該下部電極20を構成する第2金属との化合物からなる下部合金膜24を形成するとともに、下部合金膜24の上に原材料体30が結晶化されたセラミックス膜40を形成し、セラミックス膜40の上に上部電極50を形成することを含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
複合酸化物を含む原材料体を、2気圧以上に加圧され、かつ体積比10%以下の酸素を含む雰囲気中で熱処理することにより結晶化させることを含む、セラミックス膜の製造方法。
IPC (2)：
H01L27/105 ,  H01L21/316
FI (3)：
H01L27/10 444Z ,  H01L21/316 P ,  H01L27/10 444A
F-Term (18)：
5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083FR05 ,  5F083FR10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA29 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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