半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：曾我道照 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001067333
Publication number (International publication number)：2002270785
Application date： Mar. 09, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】微細な加工を可能にし、メモリ構造を高集積なレベルで実現する。【解決手段】強誘電体メモリの電極として金属Ru、あるいは、Ru-Pt合金およびRu-Ir合金を用いる。また、強誘電体材料として、BLT、PZT、SBT等を用い、結晶化の方法として500°C以下の温度で堆積し、600°C以上の温度で結晶化させるプロセスを用いる。また、結晶化雰囲気としては、Ruの酸化を抑制するために10%以下の低い酸素分圧下で結晶化させる。さらに、高集積なMFMIS型の強誘電体メモリを実現するため、上記電極、強誘電体を用い、酸素を含有するドライエッチングにより電極を加工し、絶縁膜形成とCMPによる平坦化プロセスを用いて強誘電体膜の下地が平坦化された構造とすることにより、スピンコート法などの強誘電体膜形成法でも微細なメモリ構造を形成できるようにする。

Claim (excerpt)：

強誘電体キャパシタとトランジスタを組み合わせることによりメモリ機能を有する半導体装置であって、強誘電体キャパシタの電極として金属Ru或いはRuを含む合金を用いることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/105 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 444 A , H01L 29/78 371

F-Term (15)：

5F083FR07 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083PR03 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F101BA42 , 5F101BA62 , 5F101BH01 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

誘電体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-212190 Applicant：三洋電機株式会社
強誘電体容量絶縁膜用積層電極およびこれを用いた強誘電体容量素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-183229 Applicant：ソニー株式会社
強誘電体キャパシタの形成方法及び不揮発性半導体記憶素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-354710 Applicant：シャープ株式会社

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