セラミックス膜およびその製造方法ならびに半導体装置および圧電素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001178839
Publication number (International publication number)：2002080220
Application date： Jun. 13, 2001
Publication date： Mar. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体20を結晶化することにより、セラミックス膜30を形成する工程を含み、原材料体20は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。

Claim (excerpt)：

原材料体を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含み、前記原材料体は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある、セラミックス膜の製造方法。

IPC (11)：

C01G 1/00 , C01B 13/14 , C01G 29/00 , C01G 35/00 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 41/187 , H01L 41/24

FI (12)：

C01G 1/00 Z , C01B 13/14 Z , C01G 29/00 , C01G 35/00 C , H01L 41/22 A , H01L 41/18 101 B , H01L 41/18 101 C , H01L 41/18 101 D , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 621 Z , H01L 41/18 101 J , H01L 27/04 C

F-Term (35)：

4G042DA02 , 4G042DB12 , 4G042DC03 , 4G042DD02 , 4G042DE03 , 4G042DE14 , 4G048AA03 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AB02 , 4G048AB05 , 4G048AC01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 4G048AE08 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038AV06 , 5F038DF05 , 5F038EZ20 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA31 , 5F083JA32 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083PR23 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

金属酸化物の前駆体と製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-511197 Applicant：サイメトリックスコーポレイション
Bi系誘電体薄膜形成用塗布液及びこれを用いて形成した誘電体薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-122565 Applicant：東京応化工業株式会社, 沖電気工業株式会社
強誘電体薄膜の製造方法、電子デバイス、および絶縁体用液体原料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-222230 Applicant：三菱電機株式会社

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