強誘電体メモリ集積回路用の強誘電体キャパシタ素子の製造方法及び強誘電体キャパシタ

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001385106
Publication number (International publication number)：2002246564
Application date： Dec. 18, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は集積回路の強誘電体キャパシタ素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、貴金属の導電性下部電極を成膜し、下部電極を強誘電体材料層で覆う。強誘電体層に1回目のアニールを行った後、貴金属酸化物の上部電極層を成膜する。次に、強誘電体層と上部電極層に2回目のアニールを行う。1回目と2回目のアニールでは急速加熱アニーリングを行う。

Claim (excerpt)：

導電性下部電極層を成膜する工程と、強誘電体材料の層を成膜する工程と、強誘電体材料の層をアニーリングする1回目のアニール工程と、導電性上部電極層を成膜する工程と、急速加熱アニーリングによって強誘電体材料の層をアニーリングする2回目のアニール工程と、を有する、集積回路の強誘電体キャパシタ素子の製造方法。

F-Term (7)：

5F083FR01 , 5F083GA27 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035838 Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-182481 Applicant：株式会社東芝
強誘電体集積回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-301940 Applicant：日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション

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