液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小野由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001035265
Publication number (International publication number)：2001296557
Application date： Feb. 13, 2001
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜トランジスタ基板の製造工程を単純化することにある。【解決手段】基板の上に、ゲート線及びゲートパッド23を含むゲート配線と、共通信号線24及び共通電極25,26を含む共通電極配線とを形成し、その上にゲート絶縁膜、半導体層、接触層を連続蒸着し、金属などの導電体層を蒸着した後、導電体層上部に感光膜を形成する。その次に、導電体層、接触層、半導体層をエッチングしてデータ線61、データパッド64、ソース電極62及びドレーン電極63を含むデータ配線、画素信号線及び画素電極を含む画素電極配線、接触層パターン、そして半導体層パターンを形成する。その次に、保護膜を形成し、アセンブリー工程後に薄膜トランジスタ基板の露出された部分に該当する保護膜をゲート絶縁膜と共に乾式エッチングで除去してゲートパッドとデータパッドとを露出させる。

Claim (excerpt)：

第1基板の上に、多数のゲート線及びゲートパッドを含むゲート配線と、共通信号線及び共通電極を含む共通電極配線とを形成する段階と、ゲート絶縁膜を形成する段階と、半導体層パターンを形成する段階と、抵抗性接触層パターンを形成する段階と、前記ゲート線と交差して画素領域をなす多数のデータ線、データパッド、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線と、前記ドレーン電極と連結されていて前記共通電極と平行な画素電極とを形成する段階と、保護膜を形成する段階とを含み、前記保護膜を形成する段階は、前記第1基板と前記第1基板と対向している第2基板とを配置するアセンブリー工程後に、露出されている前記保護膜を前記ゲート絶縁膜と共にエッチングして前記ゲートパッド及び前記データパッドを露出させる段階を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。

IPC (4)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 619 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-068970 Applicant：株式会社東芝
特開平3-160418
特開平4-253031

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