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J-GLOBAL ID：200903001614722144

絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置

Inventor： 佐藤 歩 ,  林 享 ,  薮田 久人 ,  渡邊 智大
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007313579
Publication number (International publication number)：2009141002
Application date： Dec. 04, 2007
Publication date： Jun. 25, 2009
Summary：

【課題】 酸化物半導体素子には、雰囲気や基板からの特性に与える影響を抑えるためにバリアコート層や保護層が必要である。しかし、プラスチックなどに代表される250°C以下の低温領域で使用可能な基板では、プラズマ化学気相成長法により形成されたバリアコート層や保護層として機能する絶縁層の膜中水素量が大きく、酸化物半導体を低抵抗化させることなく形成することができない。実用可能な酸化物半導体素子を構成する酸化物半導体と絶縁層の構成を提供することを目的とする。【解決手段】 酸化物半導体層に接する絶縁層を有する酸化物半導体素子であって、前記絶縁層が、酸化物半導体に接する膜厚50nm以上のSiとOとを含む酸化物からなる第1の絶縁層と、該第1の絶縁層に接する膜厚50nm以上のSiとNとを含む窒化物からなる第2の絶縁層と、該第2の絶縁層に接する第3の絶縁層と、を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

酸化物半導体層に接する絶縁層を有する酸化物半導体素子であって、 前記絶縁層が、酸化物半導体に接する膜厚50nm以上のSiとOとを含む酸化物からなる第1の絶縁層と、 該第1の絶縁層に接する膜厚50nm以上のSiとNとを含む窒化物からなる第2の絶縁層と、 該第2の絶縁層に接する第3の絶縁層と、 を有することを特徴とする酸化物半導体素子。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L29/78 617U ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627B

F-Term (76)：

2H092JA23 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA21 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC12 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-262991   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-255736   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-038426   Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-328307   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-274333   Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社