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J-GLOBAL ID：200903050428318652

酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法

Inventor： 佐野 政史 ,  ▲高▼橋 健治
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006328307
Publication number (International publication number)：2008141119
Application date： Dec. 05, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：

【課題】酸化物半導体が持っている高移動度、高特性を低下させることが無く、長時間安定して駆動でき、高精細で画像欠陥が少ない画像を表示する表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、発光層413と、これを挟む一対の電極408、413と、一対の電極408、413を介して発光層413を駆動し、かつ、ソース電極及びドレイン電極410、ゲート電極406、及び活性層409を有するTFTと、マトリックス配線部を構成する走査電極線407、信号電極線403、第1の絶縁層404とを有する。活性層409は、少なくとも一部が非晶質であるInとZnとを含む酸化物からなる。活性層409と第1の絶縁層404との間に、含有水素量が3×1021(atoms/cm3)未満である第2の絶縁層408を有する。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

発光層と、 前記発光層を挟む一対の電極と、 前記一対の電極を介して前記発光層を駆動し、かつ活性層を有するトランジスタと、 マトリックス配線部を構成する、走査電極線、信号電極線、及び第1の絶縁層とを有し、 前記活性層は、少なくとも一部が非晶質であるInとZnとを含む酸化物からなり、 前記活性層と前記第1の絶縁層との間に含有水素量が3×1021(atoms/cm3)未満である第2の絶縁層を有することを特徴とする表示装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H01L 27/32

FI (7)：

H01L29/78 617T ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 618B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  G09F9/30 365Z ,  H01L29/78 619A

F-Term (58)：

3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC26 ,  3K107CC35 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5C094AA31 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208948   Applicant：ホーヤ株式会社
• 導電性透明基材およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-132030   Applicant：出光興産株式会社
• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264885   Applicant：科学技術振興事業団
• 有機ELディスプレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-275929   Applicant：出光興産株式会社
• 画像表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325365   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 発光装置及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325367   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

Cited by examiner (2)

• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-255736   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-038426   Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社