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J-GLOBAL ID:200903001775863023
カーボンナノチューブの加工方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001358136
Publication number (International publication number):2003159700
Application date: Nov. 22, 2001
Publication date: Jun. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】不純物が残存しないカーボンナノチューブの加工方法を提供すること。【解決手段】エネルギーが120keVより低いエネルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴とする。つまり、300kV以上で加速した電子線をカーボンナノチューブに照射する方法では、照射された電子によりカーボンナノチューブを構成する炭素原子が単独で弾き出されることで欠陥が生成し、非晶質化しているのに対して、エネルギーを120keVより小さくしたエネルギー線の照射を行うことで、照射された電子はカーボンナノチューブを構成する炭素原子を弾き出すことができず、カーボンナノチューブを構成する炭素原子からなる構造中に取り込まれ蓄積する結果、電荷等の集中による発熱などで局所的に応力が発生してその部分の化学結合が切断されて、nmオーダーの破断部位が生起することとなるものと考えられる。
Claim (excerpt):
エネルギーが120keVより低いエネルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴とするカーボンナノチューブの加工方法。
IPC (4):
B82B 3/00
, B23K 15/00 506
, C01B 31/02 101
, H01M 4/86
FI (4):
B82B 3/00
, B23K 15/00 506
, C01B 31/02 101 F
, H01M 4/86 B
F-Term (7):
4E066BB02
, 4E066CB16
, 4G046CC00
, 4G046CC09
, 5H018DD05
, 5H018EE05
, 5H018HH06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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電界放出型電子放出素子及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-204011
Applicant:株式会社リコー
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カーボン系水素貯蔵材の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-209228
Applicant:本田技研工業株式会社
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電子装置の表面信号操作用融着プローブ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-116940
Applicant:中山喜萬, 大研化学工業株式会社
-
保護カバー付カーボンナノチューブ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-192480
Applicant:関西ティー・エル・オー株式会社
-
走査型プローブ顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-006284
Applicant:富士ゼロックス株式会社
-
遺伝子配列の読み取り装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-161584
Applicant:株式会社日立製作所
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