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J-GLOBAL ID：200903001805225345

半導体装置の製造方法

Inventor：
多田 吉秀

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中村 源志

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今井 正幸

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菱屋 晋吾

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菅原 卓也

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Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

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Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001130249
Publication number (International publication number)：2002329721
Application date： Apr. 26, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 リーク電流を低減し、フラットバンド電圧の絶対値の上昇を緩和し、また、ボロン抜けの現象を緩和することができるアニーリング方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成した後、シリコン酸化膜をCVD法により窒化処理または酸窒化処理してCVD膜を形成するCVD膜形成工程と、CVD膜をオゾンガス雰囲気下でアニーリングするCVD膜アニーリング工程とを有する。半導体装置の製造装置10は、CVD膜形成手段と、CVD膜アニーリング手段とを有する。製造装置10は、棚段状のウエハポート18に複数のシリコン基板20が配置され、プロセスガス供給管24から反応管12の上方に向けてプロセスガスが供給される。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上にシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第1の膜を形成する工程と、該第1の膜上にシリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第2の膜を形成する工程と、該第2の膜をオゾンガス雰囲気下でアニーリングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 21/318 M ,  H01L 21/318 C
F-Term (12)：
5F058BA01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD09 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF55 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (4)
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