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J-GLOBAL ID：200903001828309198

ドライエッチング方法

Inventor： 神澤 公 ,  中村 孝 ,  金田 賢二
Applicant, Patent owner： ローム株式会社 ,  株式会社プラズマシステム
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059696
Publication number (International publication number)：1997251983
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 デポを発生させることなく、PZT、Ir系等の膜をエッチングし得るドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 PZT膜2をレジスト3をマスクとして平行平板型RIE装置を用いてエッチングする。エッチングガスとしてBCl3 とCl2 の混合ガスを用いると、揮発性の高い反応生成物が得られることによって、デポの発生がなく、エッチングを行うことができる。

Claim (excerpt)：

強誘電材料膜であるチタン酸ジルコン酸鉛系膜、ストロンチウム系膜、ビスマス系膜、電極材料膜であるイリジウム系膜、白金/チタン系膜、の各単層膜、またはこれらの膜の組合せからなる積層膜のドライエッチング方法であって、エッチングガスとして塩素系ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (9)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C30B 33/12 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 E ,  C30B 33/12 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• Pt膜のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-175364   Applicant：シャープ株式会社
• 高融点金属含有膜のエッチング方法及び薄膜キャパシタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-214939   Applicant：三菱電機株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-115593   Applicant：日本電気株式会社
• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302703   Applicant：三菱電機株式会社