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J-GLOBAL ID：200903001854888724

半導体レ-ザ素子およびその製造方法

Inventor：
谷健太郎

About 谷健太郎


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999015120
Publication number (International publication number)：2000216488
Application date： Jan. 25, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 端面近傍におけるレーザ光の吸収を防止して発振閾値の上昇、実用寿命の低下を防止すると共に、端面近傍での光の位相変化を防いで光ピックアップに適用した場合簡単な光学系で収差が発生しない端面電流非注入型半導体レーザ素子を提供すること。【解決手段】 少なくとも第1導電型の第1クラッド層(2)、活性層(3)、第2導電型の第2クラッド層(4)、第2導電型の第3クラッド層(6)、第2導電型のコンタクト層(8)をこの順序で具備する半導体レーザ素子において、前記第3クラッド層(6)と前記コンタクト層(8)の間に、前記第1乃至第3クラッド層(2)、(4)、(6)の禁制帯幅と前記コンタクト層(8)の禁制帯幅の間の値の禁制帯幅を有するヘテロ障壁緩和層(7)を、前記半導体レーザ素子(100)の少なくとも一方の端面近傍を除いて設ける。
Claim (excerpt)：
少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層、第2導電型の第3クラッド層、第2導電型のコンタクト層をこの順序で具備する半導体レーザ素子において、前記第3クラッド層と前記コンタクト層の間に、前記第1乃至第3クラッド層の禁制帯幅と前記コンタクト層の禁制帯幅の間の値の禁制帯幅を有するヘテロ障壁緩和層を、前記半導体レーザ素子の少なくとも一方の端面近傍を除いて設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。
F-Term (10)：
5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (11)
  • 半導体レーザ装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-083514   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-031398   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開平3-153090
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