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J-GLOBAL ID：200903075219752739

結晶成長方法および半導体発光素子

Inventor： 石橋 明彦 ,  伴 雄三郎 ,  武石 英見
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995211951
Publication number (International publication number)：1997063962
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 活性層の結晶品質を向上させ、発光効率が高くしかも信頼性の高い半導体発光素子を提供する。【構成】 サファイア基板1上に、AlNバッファ層2、GaNバッファ層3が順に形成され、その上に、n-GaN:Siクラッド層4、In0.05Ga0.95N:Si、C活性層5(厚さ1μm)、p-Al0.1Ga0.9N:Cクラッド層6からなるダブルヘテロ構造が形成され、そしてそのp-Al0.1Ga0.9N:Cクラッド層6の上部には、p-GaN:Cコンタクト層7が形成されている。p型クラッド層にはp型不純物としてCを用いている。

Claim (excerpt)：

AlGaInNのp型ドーパントに炭素を用いた結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開平4-242985
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-256960   Applicant：富士通株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-141750   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-297023
  
• 特開平2-229476
  
• 特開昭62-119196
  
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-019586   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-074366   Applicant：豊田合成株式会社