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J-GLOBAL ID：200903001942512394

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 花岡 建一 ,  草壁 嘉彦 ,  大西 寛 ,  小林 清輝 ,  緒方 完
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997059227
Publication number (International publication number)：1998256535
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高電界ストレスにより膜質が劣化し、リーク電流が増大し、データ保持特性が劣化するという問題点が生じていた。【解決手段】 シリコン基板1上にゲート絶縁膜6およびゲート電極7が順次形成されてなる半導体装置において、ゲート絶縁膜6が、シリコン基板1上に形成されたシリコン酸化膜4と、シリコン酸化膜4上に形成され、シリコン酸化膜4の膜応力を打ち消す膜応力を有するオキシナイトライド膜5とにてなる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にゲート絶縁膜およびゲート電極が順次形成されてなる半導体装置において、上記ゲート絶縁膜が、上記シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜と、上記シリコン酸化膜上に形成され、上記シリコン酸化膜の膜応力を打ち消す膜応力を有するオキシナイトライド膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-071500   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭47-023078
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-136169   Applicant：日本電気株式会社
• IC製造のためのオキシナイトライド誘電体プロセス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-052372   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 絶縁膜の形成方法およびこれを用いて製造される半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-226598   Applicant：ソニー株式会社