基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上柳雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001202409
Publication number (International publication number)：2002134401
Application date： Jul. 03, 2001
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】レジスト材料に代表される有機物を、好適に、残渣なく、より速やかに処理することが可能な基材処理方法を提供する。【解決手段】処理すべき基材にまず紫外線を照射する。そして処理すべき基材に紫外線を照射した後は、この基材を、オゾンガスを含む気体雰囲気下に移動させ、このオゾンガスを含む気体雰囲気下で、水蒸気、水又はオゾン含有水を接触させる。このようにオゾンガスを含む気体雰囲気下で、水蒸気、水又はオゾン含有水を接触させれば、基材表面に付着する有機物を分解及び除去することが可能になる。

Claim (excerpt)：

処理すべき基材に紫外線を照射し、次いでこの基材に、オゾンガスを含む気体雰囲気下で、水蒸気、水又はオゾン含有水を接触させることにより、基材表面に付着する有機物を分解及び除去することを特徴とする基材処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 , G03F 7/42 , H01L 21/304 645 , H01L 21/304 647 , H01L 21/306

FI (7)：

G03F 7/42 , H01L 21/304 645 D , H01L 21/304 647 Z , H01L 21/30 572 B , H01L 21/306 D , H01L 21/30 572 Z , H01L 21/30 572 A

F-Term (12)：

2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096CA06 , 2H096JA04 , 2H096LA02 , 5F043AA40 , 5F043BB30 , 5F043CC16 , 5F043DD10 , 5F043GG10 , 5F046MA05 , 5F046MA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

特開平4-342127
特開平4-342127
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320250 Applicant：株式会社日立製作所

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