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J-GLOBAL ID：200903001994661339

磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気ディスク装置

Inventor： 福澤 英明 ,  黒崎 義成 ,  湯浅 裕美 ,  藤 慶彦 ,  岩崎 仁志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (4)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006086422
Publication number (International publication number)：2007266122
Application date： Mar. 27, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：

【課題】MR変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子が,磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と,磁化固着層上に配置され,かつ絶縁層と,この絶縁層を貫通する金属導電体と,を有するスペーサ層と,スペーサ層上に,金属導電体と対向して配置され,かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と,を具備する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と, 前記磁化固着層上に配置され,かつ絶縁層と,この絶縁層を貫通する金属導電体と,を有するスペーサ層と, 前記スペーサ層上に,前記金属導電体と対向して配置され,かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と, を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (11)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/18 ,  H01F 41/20 ,  H01F 41/22

FI (10)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01F41/20 ,  H01F41/22

F-Term (65)：

4M119AA06 ,  4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119CC04 ,  4M119DD04 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD37 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119EE03 ,  4M119EE22 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA25 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01 ,  5E049GC06 ,  5E049HC01 ,  5E049JC05 ,  5F092AA02 ,  5F092AA06 ,  5F092AB02 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD12 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB15 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB32 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092BE30 ,  5F092CA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-322041   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-233641   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-431571   Applicant：株式会社東芝
• CPP構造スピンバルブヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-349106   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果素子の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-233641   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-431571   Applicant：株式会社東芝
• CPP構造スピンバルブヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-349106   Applicant：富士通株式会社