絶縁膜のエッチング方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002007437
Publication number (International publication number)：2002280368
Application date： Apr. 14, 1999
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】低開口率の半導体ウエハであっても、半導体ウエハのエッチング終点を安定に検出できる絶縁膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜や低誘電率材料からなるlow-k膜を含む絶縁膜のエッチング方法であって、エッチングの終点を判定してエッチングを終了するものにおいて、前記エッチングの終点判定の処理が、入力信号波形を第1デジタルフィルタ18によりノイズを低減するステップと、演算回路19による微分処理により信号波形の微係数(1次または2次)を求めるステップと、前のステップで求めた時系列微係数波形のノイズ成分を第2デジタルフィルタ20により低減して平滑化微係数値を求めるステップと、該平滑化微係数値と予め設定された値とを判別手段22により比較しエッチングの終点を判定するステップとを含む。

Claim (excerpt)：

シリコン酸化膜や低誘電率材料からなるlow-k膜を含む絶縁膜のエッチング方法であって、エッチングの終点を判定してエッチングを終了するものにおいて、前記エッチングの終点判定の処理が、判定入力信号波形を第1デジタルフィルタによりノイズを低減するステップと、微分処理により信号波形の微係数(1次または2次)を求めるステップと、前のステップで求めた時系列微係数波形のノイズ成分を第2デジタルフィルタにより低減して平滑化微係数値を求めるステップと、該平滑化微係数値と予め設定された値とを判別手段により比較しエッチングの終点を判定するステップとを含むことを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/302 E , H01L 21/90 A

F-Term (29)：

5F004AA16 , 5F004CB02 , 5F004CB16 , 5F004CB17 , 5F004CB18 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033QQ06 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ91 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033TT01 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033XX00 , 5F033XX01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

エッチング終点判定方法及びエッチング終点判定装置及びそれを用いた絶縁膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-107271 Applicant：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社
荷電粒子ビーム照射によるパターン形成方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-096531 Applicant：株式会社日立製作所
電子ビームテスタの電圧波形測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-186261 Applicant：富士通株式会社

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