Pat
J-GLOBAL ID：200903002059903835
絶縁膜のエッチング方法
Inventor：
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002007437
Publication number (International publication number)：2002280368
Application date： Apr. 14, 1999
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：
【要約】【課題】低開口率の半導体ウエハであっても、半導体ウエハのエッチング終点を安定に検出できる絶縁膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜や低誘電率材料からなるlow-k膜を含む絶縁膜のエッチング方法であって、エッチングの終点を判定してエッチングを終了するものにおいて、前記エッチングの終点判定の処理が、入力信号波形を第1デジタルフィルタ18によりノイズを低減するステップと、演算回路19による微分処理により信号波形の微係数(1次または2次)を求めるステップと、前のステップで求めた時系列微係数波形のノイズ成分を第2デジタルフィルタ20により低減して平滑化微係数値を求めるステップと、該平滑化微係数値と予め設定された値とを判別手段22により比較しエッチングの終点を判定するステップとを含む。
Claim (excerpt)：
シリコン酸化膜や低誘電率材料からなるlow-k膜を含む絶縁膜のエッチング方法であって、エッチングの終点を判定してエッチングを終了するものにおいて、前記エッチングの終点判定の処理が、判定入力信号波形を第1デジタルフィルタによりノイズを低減するステップと、微分処理により信号波形の微係数(1次または2次)を求めるステップと、前のステップで求めた時系列微係数波形のノイズ成分を第2デジタルフィルタにより低減して平滑化微係数値を求めるステップと、該平滑化微係数値と予め設定された値とを判別手段により比較しエッチングの終点を判定するステップとを含むことを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 21/302 E
, H01L 21/90 A
5F004AA16
, 5F004CB02
, 5F004CB16
, 5F004CB17
, 5F004CB18
, 5F004EB01
, 5F004EB03
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033JJ01
, 5F033JJ08
, 5F033JJ11
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033QQ06
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ25
, 5F033QQ91
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR09
, 5F033RR15
, 5F033SS04
, 5F033TT01
, 5F033TT02
, 5F033VV06
, 5F033XX00
, 5F033XX01
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
