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J-GLOBAL ID:200903002071858101
太陽電池用電極の作製方法および太陽電池
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995252004
Publication number (International publication number):1997069642
Application date: Sep. 05, 1995
Publication date: Mar. 11, 1997
Summary:
【要約】【目的】 太陽電池の光反射製電極を構成するアルミニウム膜において、緻密なテクスチャー構造を得る。テクスチャー構造による開放電圧の低下を防ぐ。【構成】 太陽電池の光入射側と反対側に位置する、光反射性電極として、少なくとも、不純物元素としてシリコンが0.1〜6.0wt%含有するアルミニウムをターゲットとし、基板温度を50°C〜200°Cとしたスパッタ法により形成したアルミニウム膜を用いる。また該アルミニウム膜上に、不純物元素が添加されていないアルミニウム膜、または銀膜、を積層することにより、適度な凹凸形状を有するテクスチャー構造を得る。有機樹脂フィルム基板を用いる場合、上面のアルミニウム膜を形成前に、有機樹脂フィルム内に存在する水分その他、加熱や真空雰囲気により気体として放出される成分を除いておく。
Claim (excerpt):
基板、光反射性電極、光電変換層、透明電極を少なくとも有して構成される太陽電池において、前記光反射性電極は、不純物元素として、シリコン、ニッケル、銅のいずれか1種以上を、0.1〜6.0%含有するアルミニウム膜により構成されることを特徴とする太陽電池。
FI (2):
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開平4-334069
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太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-264611
Applicant:株式会社日立製作所
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光起電力素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-231315
Applicant:キヤノン株式会社
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特開平4-094173
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特開昭62-252976
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太陽電池の製造方法及びそれに供されるスパッタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-349637
Applicant:キヤノン株式会社
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薄膜半導体太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-361503
Applicant:キヤノン株式会社
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光起電力素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-020052
Applicant:キヤノン株式会社
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