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J-GLOBAL ID：200903081298478876

電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
野田 真

About 野田 真


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003427436
Publication number (International publication number)：2005191077
Application date： Dec. 24, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】大気中の水蒸気の存在に起因して特性が変化若しくは劣化することを抑制し得る構造を有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、基体11上に形成されたゲート電極12、ゲート電極12上に形成されたゲート絶縁膜13、ゲート絶縁膜13上に形成されたソース/ドレイン電極14、及び、ソース/ドレイン電極14間であってゲート絶縁膜13上に形成された有機半導体材料層15から成るチャネル形成領域16を備えており、少なくともチャネル形成領域16の上には保護層が形成されており、この保護層は、少なくとも、吸湿性を有する層17、及び、耐湿性を有する層18の積層構造を有する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
(A)基体上に形成されたゲート電極、 (B)ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜、 (C)ゲート絶縁膜上に形成されたソース/ドレイン電極、及び、 (D)ソース/ドレイン電極間であって、ゲート絶縁膜上に形成された有機半導体材料層から成るチャネル形成領域、 を備えた電界効果型トランジスタであって、 少なくともチャネル形成領域の上には保護層が形成されており、 該保護層は、少なくとも、吸湿性を有する層、及び、耐湿性を有する層の積層構造を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (4)：
H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/363 ,  H01L51/00
FI (5)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/318 M ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28
F-Term (42)：
5F058BA07 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BF14 ,  5F058BF15 ,  5F058BJ03 ,  5F103AA01 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103HH10 ,  5F103LL08 ,  5F103NN01 ,  5F103NN02 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (10)
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