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J-GLOBAL ID：200903002438829650

乾式蝕刻装置

Inventor：
金 學弼

About 金 學弼

, 
金 太龍

About 金 太龍

, 
李 映雨

About 李 映雨


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242324
Publication number (International publication number)：1999195645
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 微細なアーキングが発生せず、かつ、プラズマの分布を工程対象物のウェハ上にのみ効果的に制限できる乾式蝕刻装置を提供することにある。【解決手段】 プラズマ160の分布を調節してカソード122を支えている制限リング124を固定するねじ126は、プラズマ密度を均一にするための金属リング114Bとの距離D1が最大になる位置に設けられる。従って、微細なアーキングを防止してプラズマ160をウェハ118上にのみ分布させ、蝕刻工程の進行の途中汚染粒子が発生することを防止して乾式蝕刻工程の収率を向上させ得る。
Claim (excerpt)：
乾式蝕刻装置の下部に設けられてウェハがローディングされるチャックと、前記チャックの周囲に沿って形成されており、プラズマの密度を均一にするための金属リングと、前記乾式蝕刻装置の上部に設けられて前記チャックに対向して一定の距離で離れているカソードと、前記カソードの縁部に沿って前記カソードを支えており、前記カソードの下方へ突出された形態で形成されている制限リングと、前記制限リングを前記乾式蝕刻装置の上部に固定させるために前記制限リング内に設けられて固定力の保つ範囲内で前記金属リングとの距離が最大になる位置に設けられるねじと、を備えることを特徴とする乾式蝕刻装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2)：
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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