酸化処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：志賀富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001089356
Publication number (International publication number)：2002289598
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】ターゲット基板に酸化種を吸着させ、これにレーザ光を照射してアブレーションを起こし、活性な指向性ビームを得て被酸化試料に酸化膜を形成するのみでは、制御性、高速性、膜濃度・膜分布特性に問題がある。【解決手段】ターゲット基板31には、酸化種と窒化種を混合させて吸着させておく構成とする。また、ターゲット基板には、深さ方向に層状に酸化種と窒化種と交互に吸着させておく構成、幅方向に酸化種と窒化種の濃度分布をつけて吸着させておく構成を含む。

Claim (excerpt)：

被酸化試料に対向する位置に置かれて低温に保持されたターゲット基板に酸化種を吸着させ、吸着させた酸化種に対してレーザ光を照射してアブレーションを行うことで、活性な指向性ビームを得て被酸化試料に酸化膜を形成する装置において、前記ターゲット基板には、酸化種と窒化種を混合させて吸着させておく構成を特徴とする酸化処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/31 , C23C 14/28 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (4)：

H01L 21/31 A , C23C 14/28 , H01L 21/316 A , H01L 21/318 A

F-Term (23)：

4K029AA06 , 4K029BA43 , 4K029BA46 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029DB05 , 4K029DB20 , 4K029EA00 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AB34 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045BB07 , 5F045EE06 , 5F045EK17 , 5F045EK19 , 5F058BC02 , 5F058BC11 , 5F058BF11 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BG02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035100 Applicant：松下電器産業株式会社
酸化物薄膜作製装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-195067 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
ビスマス層状化合物薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-060284 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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Cited by examiner (4)

レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035100 Applicant：松下電器産業株式会社
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