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J-GLOBAL ID：200903002516179439

粒子線照射装置及び粒子線治療装置

Inventor：
吉田 克久

About 吉田 克久


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (4)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006007364
Publication number (International publication number)：2007185423
Application date： Jan. 16, 2006
Publication date： Jul. 26, 2007
Summary：
【課題】 レンジシフターでの散乱による荷電粒子線のビーム径の増加を低減して、被照射体への空間的に精密な照射が可能な小さなビーム径の荷電粒子線を供給できるとともに、レンジシフターを患者から離れた位置に配置して、その移動音等による威圧感を無くすることができる粒子線照射装置及び粒子線治療装置を得る。【解決手段】 荷電粒子線の照射中に厚さが変化して荷電粒子線のエネルギーを変化させることで、被照射体5における荷電粒子線の飛程を所望の値とするレンジシフター4と、被照射体6との間に、レンジシフター5で変化した荷電粒子線のエネルギーに応じて励磁量が制御されて、レンジシフターでの散乱による被照射体6における荷電粒子線のビーム径の増加を低減する4極電磁石6を備えた。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
荷電粒子線の照射中に前記荷電粒子線のエネルギーを低下させることで、被照射体における荷電粒子線の飛程を所望の値とする可変レンジシフターと被照射体との間に配置されて、 前記可変レンジシフターで低下した前記荷電粒子線のエネルギーに応じて励磁量が制御されて、前記可変レンジシフターでの散乱による被照射体における前記荷電粒子線のビーム径の増加を低減する4極電磁石を備えた粒子線照射装置。
IPC (5)：
A61N 5/10 ,  G21K 3/00 ,  G21K 1/093 ,  G21K 1/087 ,  G21K 5/04
FI (6)：
A61N5/10 M ,  A61N5/10 J ,  G21K3/00 W ,  G21K1/093 F ,  G21K1/087 S ,  G21K5/04 A
F-Term (7)：
4C082AA01 ,  4C082AC05 ,  4C082AE02 ,  4C082AJ02 ,  4C082AJ16 ,  4C082AL06 ,  4C082AP11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (7)
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