Pat

J-GLOBAL ID：200903002558464745

SiCダミーウエハ

Inventor： 斉藤 誠 ,  藤田 房雄
Applicant, Patent owner： 三井造船株式会社 ,  株式会社アドマップ
Agent (1)： 村上 友一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996286131
Publication number (International publication number)：1998116757
Application date： Oct. 08, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 交換頻度を減少できるようにする。【解決手段】 半導体ウエハとともにウエハボートに配置するダミーウエハをSiCによって形成するとともに、その表面粗さRa を0.01μm以上にした。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハとともにウエハボートに配置するSiCからなるダミーウエハであって、表面粗さRa が0.01μm以上であることを特徴とするSiCダミーウエハ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-231469   Applicant：株式会社ブリヂストン
• 半導体用部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-173565   Applicant：東芝セラミックス株式会社
• 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-340993   Applicant：東洋炭素株式会社
• 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-340994   Applicant：東洋炭素株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• CVD-SiC単体ダミーウェハー
• CVD-SiC単体ダミーウェハー