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J-GLOBAL ID：200903002558764862

接合体、半導体装置および接合体の製造方法

Inventor：
高橋 利英

About 高橋 利英

, 
河野 龍興

About 河野 龍興


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (2)： 松山 允之 ,  池上 徹真
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008141346
Publication number (International publication number)：2009290007
Application date： May. 29, 2008
Publication date： Dec. 10, 2009
Summary：
【課題】実質的にPbおよびAuを含有しない材料を用い、高温条件においても、なお良好な機械的強度を保持する接合部を有する接合体、半導体装置および接合体の製造方法を提供する【解決手段】第1の基材と、第2の基材と、これらの第1の基材と第2の基材とを接合する金属間化合物層を備え、この金属間化合物層がAg3Sn相であり、かつ、第1の基材の接合面または第2の基材の接合面がAg相の金属層であることを特徴とする接合体。または、この金属間化合物層の少なくとも一部がCu3Sn相であり、かつ、第1の基材の接合面または第2の基材の接合面がCu相の金属層であることを特徴とする接合体。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の基材と、 第2の基材と、 前記第1の基材と前記第2の基材とを接合する金属間化合物層を具備し、 前記金属間化合物層がAg3Sn相であり、かつ、前記第1の基材の接合面または前記第2の基材の接合面がAg相の金属層であり、 または、 前記金属間化合物層の少なくとも一部がCu3Sn相であり、かつ、前記第1の基材の接合面または前記第2の基材の接合面がCu相の金属層であることを特徴とする接合体。
IPC (7)：
H01L 21/52 ,  B23K 35/14 ,  B23K 35/24 ,  C22C 5/06 ,  C22C 9/02 ,  B23K 35/30 ,  H05K 3/34
FI (10)：
H01L21/52 E ,  B23K35/14 Z ,  B23K35/14 A ,  B23K35/24 310 ,  C22C5/06 Z ,  C22C9/02 ,  B23K35/30 310B ,  B23K35/30 310C ,  H05K3/34 512C ,  H05K3/34 507C
F-Term (13)：
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB01 ,  5E319BB08 ,  5E319CC33 ,  5E319CC58 ,  5E319GG20 ,  5F047AA11 ,  5F047AB10 ,  5F047BA05 ,  5F047BA15 ,  5F047BA19 ,  5F047BB19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)

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