パワー半導体モジュール及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：中島淳 , 加藤和詳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006201725
Publication number (International publication number)：2008028295
Application date： Jul. 25, 2006
Publication date： Feb. 07, 2008
Summary：

【課題】冷熱サイクルに対して亀裂、剥離などの不具合を生じない信頼性の高いパワー半導体モジュール及びその製造方法であって、製造工程上、位置ずれなどの不具合を生じないパワー半導体モジュール及びその製造方法を提供すること。【解決手段】パワー半導体素子と、絶縁基板と、放熱板と、を有し、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板との間、及び前記絶縁基板と前記放熱板との間の少なくとも一方を、Cu層、Cu3Sn層及びCu層の順で積層してなる積層構造で接合するパワー半導体モジュール及びその製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

パワー半導体素子と、絶縁基板と、放熱板と、を有し、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板との間、及び前記絶縁基板と前記放熱板との間の少なくとも一方を、Cu層、Cu3Sn層及びCu層の順で積層された積層構造で接合してなるパワー半導体モジュール。

IPC (1)：

H01L 23/36

FI (1)：

H01L23/36 D

F-Term (7)：

5F136BA30 , 5F136BB04 , 5F136BC03 , 5F136DA13 , 5F136FA03 , 5F136FA04 , 5F136GA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置部品およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-101128 Applicant：同和鉱業株式会社
特開昭57-078144
銅裏面金属構造を備えるGaAs薄型ダイ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-557131 Applicant：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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