接合体、半導体装置、接合方法、及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松山允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004103984
Publication number (International publication number)：2005288458
Application date： Mar. 31, 2004
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：

【課題】高い濃度で鉛を含有しない接合材を用い、高温条件を経てもおいても良好な機械的強度を保持可能な接合体を提供することである。【解決手段】本発明に係る接合体4は、第1金属被接合材1と、銅、金、銀、金とパラジウムを主成分とする金・パラジウム系合金、及び、銀とパラジウムを主成分とする銀・パラジウム系合金からなる群より選択される材料よりなる第2金属被接合材2を接合する接合層3を有しており、この接合層3においては、その断面微細構造に、第2金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相と錫相のうちの少なくとも一種の相と、第2金属被接合材構成元素と錫とを構成元素とする複数の粒状金属間化合物相とが存在することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1金属被接合材と、銅、金、銀、金とパラジウムを主成分とする金・パラジウム系合金、及び、銀とパラジウムを主成分とする銀・パラジウム系合金からなる群より選択される第2金属被接合材と、前記第1金属被接合材及び第2金属被接合材を接合し、その断面微細構造に、第2金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相と錫相のうちの少なくとも一種の相と、第2金属被接合材構成元素と錫とを構成元素とする複数の粒状金属間化合物相と、が存在する接合層とを備えることを特徴とする接合体。

IPC (5)：

B23K1/19 , B23K1/00 , B23K35/26 , B32B15/01 , H01L21/52

FI (6)：

B23K1/19 K , B23K1/19 Z , B23K1/00 330D , B23K35/26 310A , B32B15/01 K , H01L21/52 B

F-Term (24)：

4F100AB01A , 4F100AB01B , 4F100AB01C , 4F100AB17B , 4F100AB17C , 4F100AB21C , 4F100AB24B , 4F100AB24C , 4F100AB25B , 4F100AB25C , 4F100AB31B , 4F100AB31C , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100GB41 , 4F100JK01 , 4F100JK06 , 5F047AA11 , 5F047BA05 , 5F047BA14 , 5F047BA15 , 5F047BB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

はんだ接合層
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-089141 Applicant：古河電気工業株式会社
特開昭50-023972
半田接合法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-266879 Applicant：株式会社日立製作所

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