窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997176720
Publication number (International publication number)：1999026382
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】有機金属気相成長法による窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造において、薄膜成長面を下向きに保持した基板上に良好な表面平坦性と優れた結晶性とを有する窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させることを目的とする。【解決手段】水素が2%以上且つ50%未満の濃度で混合された窒素をベースとする混合ガスをキャリアガスに用いて原料ガスを反応管内へ輸送するようにする。

Claim (excerpt)：

有機金属気相成長法により、反応管内において薄膜成長面を下向きにして保持された基板上に、一般式がAlxGa1-xN(0≦x≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させる窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法であって、水素が2%以上且つ50%未満の濃度で混合された窒素をベースとする混合ガスをキャリアガスに用いて原料ガスを前記反応管内へ輸送することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-221816 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-152676 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-061015 Applicant：富士通株式会社

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