研磨パッドおよび研磨装置ならびに研磨方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000252133
Publication number (International publication number)：2002059357
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： Feb. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】CMPによる半導体基板の平坦化において、半導体基板表面の凹凸の凸部を選択的に研磨することでグローバル段差が速く解消でき、また、金属配線やSTIにおける研磨においてもディッシングやシンニングなどの凹み量が少なく、かつスクラッチ傷や残存ダストが少ない高品位な半導体基板を得ることが可能な研磨パッドおよび研磨装置および研磨方法を提供するものである。【解決手段】基板を平坦化するための化学的機械研磨に用いられる研磨パッドにおいて、水との接触角が75度以下であって、かつ以下に示す(A)および/または(B)の要件を満たす研磨層を含むことを特徴とする研磨パッド。(A)曲げ弾性率が2GPa以上(B)表面硬度がデュロメータD硬度で80以上

Claim (excerpt)：

基板を平坦化するための化学的機械研磨に用いられる研磨パッドにおいて、水との接触角が75度以下であって、かつ以下に示す(A)および/または(B)の要件を満たす研磨層を含むことを特徴とする研磨パッド。(A)曲げ弾性率が2GPa以上(B)表面硬度がデュロメータD硬度で80以上

IPC (4)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/306

FI (4)：

B24B 37/00 C , H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 622 X , H01L 21/306 M

F-Term (13)：

3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F043AA24 , 5F043AA26 , 5F043AA31 , 5F043DD16 , 5F043EE40 , 5F043FF07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

研磨パッド及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-192497 Applicant：レンゴー株式会社, 株式会社ロキテクノ, 株式会社エー・シー・イー
重合体組成物および研磨パッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-126842 Applicant：ジェイエスアール株式会社
研磨パッドおよび研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-002413 Applicant：ソニー株式会社

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