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J-GLOBAL ID：200903002710129507

成膜方法及び成膜装置

Inventor： 室井 進 ,  仁木 敏一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  株式会社石川製作所 ,  仁木 敏一
Agent (1)： 木森 有平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004178235
Publication number (International publication number)：2006005066
Application date： Jun. 16, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】 被堆積材の温度上昇の抑制と高速な成膜との両立を図る。【解決手段】 真空容器2内に設置された被堆積材3上に薄膜形成を行う成膜装置であって、材料ガスの一部を活性化する触媒体5と、触媒体5と接触するように材料ガスの一部を導入する第1のガス供給手段6と、触媒体と被堆積材との間の空間に材料ガスの一部を直接導入する第2のガス供給手段7とを有する。材料ガスの少なくとも一部を触媒体5により活性化するとともに、この活性化した材料ガスにより残りの材料ガスを活性化して堆積種とし、被堆積材4上に薄膜を堆積させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

材料ガスの一部を触媒体により活性化するとともに、この活性化した材料ガスにより、当該触媒体と被堆積材との間の空間に導入した材料ガスの少なくとも一部を活性化して堆積種とし、被堆積材上に薄膜を堆積させることを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L21/318 B ,  C23C16/44 A ,  H01L21/31 B

F-Term (24)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA17 ,  4K030KA49 ,  5F045AA03 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045DP22 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BG10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜製造装置および薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-258336   Applicant：ソニー株式会社, 北陸先端科学技術大学院大学長

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-213118
  
• 発熱体CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-280221   Applicant：アネルバ株式会社
• 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-319853   Applicant：ソニー株式会社
• Cat-PECVD法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-222430   Applicant：京セラ株式会社