半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999319086
Publication number (International publication number)：2001135630
Application date： Nov. 10, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】成膜工程が複雑にならないと共に地球温暖化を招くことなく、フッ素含有有機膜を堆積できるようにする。【解決手段】半導体基板100の上に、第1のシリコン酸化膜101、金属膜102及び第2のシリコン酸化膜103を順次形成した後、レジストパターン104をマスクとし且つC5F8ガスを主成分とするエッチングガスを用いてドライエッチングを行なって、第2のシリコン酸化膜103からなるハードマスク105を形成する。ハードマスク105をマスクとして金属膜102に対してドライエッチングを行なって金属配線106を形成した後、C5F8ガスを主成分とする原料ガスを用いて、金属配線106同士の間及び上面にフッ素含有有機膜からなる層間絶縁膜107を堆積する。

Claim (excerpt)：

C5F8、C3F6又はC4F6を主成分として含む原料ガスを用いて、半導体基板上に比誘電率が4以下であるフッ素含有有機膜を堆積する工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/312 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01L 21/3213 , H01L 21/768

FI (8)：

H01L 21/312 A , H01L 21/28 M , H01L 21/28 F , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B , H01L 21/88 D , H01L 21/90 S , H01L 21/90 C

F-Term (56)：

4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104HH09 , 5F004AA09 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BC02 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004EA06 , 5F004EB03 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033KK01 , 5F033MM02 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR24 , 5F033SS01 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F045AA08 , 5F045AB39 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB16 , 5F045BB17 , 5F045CB05 , 5F045DC55 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EH14 , 5F045HA23 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC05 , 5F058AF02 , 5F058AH01 , 5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

層間絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-227736 Applicant：松下電器産業株式会社
コンタクト孔の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-121395 Applicant：三洋電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

Return to Previous Page