半導体装置のキャパシターの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000397923
Publication number (International publication number)：2001210799
Application date： Dec. 27, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】優秀な電気的特性及び高容量を確保し、不純物を除去して良質の高誘電膜を得るとともに、製造工程を簡素化して生産原価を節減し得る半導体装置のキャパシターの製造方法を提供することである。【解決手段】半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成し、前記下部電極の上部に非晶質TaON薄膜を蒸着した後、NH3雰囲気でアニーリングする工程を少なくとも1回以上実施して多層構造のTaON誘電体膜を形成し、前記多層構造のTaON誘電体膜の上部に上部電極を形成することからなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極の上部に非晶質TaON薄膜を蒸着した後、窒素または酸素含有ガス雰囲気でアニーリングする工程を少なくとも1回以上実施して多層構造のTaON誘電体膜を形成する段階と、前記TaON誘電体膜の上部に上部電極を形成する段階とを含んで構成されることを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

タンタルを含む高誘電体膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-072505 Applicant：ソニー株式会社
半導体素子のキャパシタ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-176567 Applicant：現代電子産業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-027061 Applicant：日本電気株式会社

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