接合バンプ付き配線基板

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅原正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996335148
Publication number (International publication number)：1998163270
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】接合時にバンプの潰れが生じにくく、また、サイズの小さいバンプも問題なく製造できる接合バンプ付き配線基板を提供する。【解決手段】接合バンプ付き配線基板3は、基板103と、その接合面に配置された複数個の接合バンプ1とを有し、該基板103は、接合面に集積回路チップ等の被接合体Cを重ね合わせて予め定められた接合温度に加熱することにより、接合バンプ1を介して該被接合体が接合されることが予定される。ここで、接合バンプ1は、上記接合温度において部分的に溶融して液相Lを生ずるとともに、その生じた液相部分Lと残余の固相部分Sとが互いに混合した状態を形成するものとして構成される。

Claim (excerpt)：

基板と、その接合面に配置された複数個の接合バンプとを有し、また、前記基板は、前記接合面に別の基板ないし集積回路チップ等の被接合体を重ね合わせて予め定められた接合温度に加熱することにより、前記接合バンプを介して該被接合体が接合されることが予定され、前記接合バンプは、前記接合温度において部分的に溶融して液相を生ずるとともに、その生じた液相部分と残余の固相部分とが互いに混合した状態を形成するものとして構成されたことを特徴とする接合バンプ付き配線基板。

IPC (4)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/321 , H01L 23/12 , H05K 3/34 501

FI (4)：

H01L 21/60 311 S , H05K 3/34 501 E , H01L 21/92 603 B , H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平3-012992
半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-168385 Applicant：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035695 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (7)

特開平3-012992
半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-168385 Applicant：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035695 Applicant：株式会社東芝

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