結晶性制御酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法並びにその単結晶を用いた基板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：津国肇 , 篠田文雄 , 束田幸四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004380169
Publication number (International publication number)：2006182620
Application date： Dec. 28, 2004
Publication date： Jul. 13, 2006
Summary：

【課題】特にアーク電融法を使用して製造されたMgO単結晶の基板上に形成された超伝導体薄膜の超伝導特性を向上させることが可能な結晶性制御MgO単結晶の製造方法及びその基板を提供する。【解決手段】亜粒界を有し、且つ、同一亜粒界における逆格子マップ測定による回折線位置の変動幅が、Δω座標の変動幅として、1×10-3〜2×10-2degree、且つ、2θ座標の変動幅として4×10-4〜5×10-3degreeであることを特徴とする結晶性制御酸化マグネシウム単結晶を製造した後、2613K以上の温度まで昇温加熱した後、直ちに、もしくは、その温度で所定時間保持した後、50〜300K/hrの冷却速度で2473Kまで冷却する工程を含み、更に昇温と冷却に要した時間を含め、2613K以上の温度範囲に保持する合計時間を10800秒以下とする熱処理を行うことを特徴とする結晶性制御酸化マグネシウム単結晶の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

亜粒界を有し、かつ、同一亜粒界における逆格子マップ測定による回折線座標位置の変動幅が、Δω座標の変動幅として、1×10-3〜2×10-2degree、且つ、2θ座標の変動幅として、4×10-4〜5×10-3degreeであることを特徴とする、結晶性制御酸化マグネシウム単結晶。

IPC (2)：

C30B 29/16 , C30B 29/22

FI (2)：

C30B29/16 , C30B29/22 501J

F-Term (7)：

4G077AA02 , 4G077AB07 , 4G077BB02 , 4G077CE04 , 4G077HA08 , 4G077HA12 , 4G077NE09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平02-263794号公報
マグネシア単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-345510 Applicant：黒崎窯業株式会社, ジャパン・ゼネラル株式会社
MgO単結晶基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-098130 Applicant：黒崎窯業株式会社

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