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J-GLOBAL ID：200903003219839515

高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor：
太宰 尚宏

About 太宰 尚宏

, 
森 貴敬

About 森 貴敬

, 
清水 宏明

About 清水 宏明

, 
大下 京子

About 大下 京子


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007233247
Publication number (International publication number)：2009062491
Application date： Sep. 07, 2007
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：
【課題】解像度と感度に優れたポジ型レジスト組成物に好適な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】5-ヒドロキシ-3-オキサ-2-チア-トリシクロノナンとアクリル酸よりなるアクリル酸エステル(a0)と酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)とを有する高分子化合物。酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)は、前記高分子化合物(A1)を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)と酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)とを有することを特徴とする高分子化合物。
IPC (3)：
C08F 220/38 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3)：
C08F220/38 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (53)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100AL26Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA05S ,  4J100BA06S ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11S ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20S ,  4J100BA40R ,  4J100BB18R ,  4J100BC02Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC08S ,  4J100BC08T ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09T ,  4J100BC12Q ,  4J100BC12T ,  4J100BC15S ,  4J100BC53S ,  4J100BC84P ,  4J100BD12 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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