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J-GLOBAL ID：200903003245007439

原子層成長法を用いた成膜方法及びその成膜装置

Inventor： 千田 二郎 ,  大嶋 元啓 ,  富永 浩二 ,  寺阪 正訓 ,  山岸 豊 ,  松田 耕一郎 ,  清水 哲夫
Applicant, Patent owner： 学校法人同志社 ,  株式会社堀場製作所 ,  株式会社堀場エステック
Agent (2)： 西村 竜平 ,  佐藤 明子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007226597
Publication number (International publication number)：2008182183
Application date： Aug. 31, 2007
Publication date： Aug. 07, 2008
Summary：

【課題】原子層成長(ALD)法を種々の成膜に適用すること及びスループットを向上させることを可能にし、同時に装置の小型化を実現することである。【解決手段】原子層成長(ALD)法を用いた成膜方法であって、基板Wを内部に保持する成膜室2内に、有機金属化合物からなる液体原料を液体原料噴射弁41により直接噴射することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板を内部に保持する成膜室内に、有機金属化合物からなる液体原料を噴射弁により直接噴射することを特徴とする原子層成長法を用いた成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L21/31 B ,  C23C16/448 ,  C23C16/18 ,  H01L21/316 X

F-Term (25)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030HA01 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045EE02 ,  5F045EE17 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 気相成長装置、薄膜の形成方法、および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-164124   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社

Cited by examiner (3)

• 多元金属又は金属化合物層の成長のための方法及び組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-212008   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• ALDによる湿式成膜方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-083722   Applicant：三井造船株式会社
• 金属アミジナートを用いる原子層の析出
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-570408   Applicant：プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ