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J-GLOBAL ID:200903040690038070

半導体レーザ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 尾身 祐助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995023339
Publication number (International publication number):1996204282
Application date: Jan. 19, 1995
Publication date: Aug. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 可飽和吸収層を備え自励振動を行わせるレーザにおいて、可飽和吸収層を導入したことによって、活性層の光閉じ込め係数が低下したり、光ビーム形状が歪んだりすることのないようにする。【構成】 活性層107の両側のクラッド層内の活性層から200nm以内の位置に可飽和吸収層105、109を設ける。即ち、n型GaAs基板111上に、n型AlGaInPクラッド層110、n型AlGaInP可飽和吸収層109、膜厚100nmのn型AlGaInPクラッド層108、AlGaInP活性層107、膜厚100nmのp型AlGaInPクラッド層106、p型AlGaInP可飽和吸収層105、p型AlGaInPクラッド層104、を成長させ、クラッド層104を“凸”字形状に加工し、その凸起部を囲むようにn型電流ブロック層103を形成し、さらにp型コンタクト層102を形成する。
Claim (excerpt):
第1導電型の半導体基板上に第1導電型の第1のクラッド層、第1導電型の可飽和吸収層、第1導電型の第2のクラッド層、活性層、第2導電型の第1のクラッド層、第2導電型の可飽和吸収層、第2導電型の第2のクラッド層、第2導電型のコンタクト層がこの順に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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