半導体基板の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006305657
Publication number (International publication number)：2008124207
Application date： Nov. 10, 2006
Publication date： May. 29, 2008
Summary：

【課題】低融点物質の基板上に高品質なシリコン薄膜を転写した半導体基板を提供すること【解決手段】単結晶Si基10の表面(主面)にドーズ量1.5×1017atoms/cm2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層(イオン注入ダメージ層)11を形成する。この水素イオン注入により、水素イオン注入界面12が形成される。この単結晶Si基板10と低融点ガラス基板20を貼り合わせる。貼り合わせた状態の基板を120°C以上250°C以下(但し、支持基板の融点を超えない温度)の比較的低い温度で加熱し、さらに、外部衝撃を付与することで、熱処理後の貼り合せ基板の単結晶Si基板10の水素イオン注入界面12に沿ってSi結晶膜を剥離する。そして、得られたシリコン薄膜13の表面を研磨等してダメージを除去して半導体基板が得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の製造方法であって、シリコン基板の主面側に1.5×1017atoms/cm2以上のドーズ量で水素イオンを注入する第1のステップと、前記シリコン基板の主面と低融点物質の支持基板の主面を貼り合わせる第2のステップと、前記貼り合わせた基板を120°C以上であって前記支持基板の融点を超えない250°C以下の温度で熱処理する第3のステップと、前記熱処理後の貼り合せ基板の前記シリコン基板の水素イオン注入界面に沿ってシリコン結晶膜を剥離して前記支持基板の表面上にシリコン薄膜を形成する第4のステップとを備えている半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B , H01L21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特許第3048201号公報
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-374884 Applicant：信越化学工業株式会社, 信越半導体株式会社
ダミーウェハー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-370200 Applicant：株式会社巴川製紙所

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Cited by examiner (2)

SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-374884 Applicant：信越化学工業株式会社, 信越半導体株式会社
ダミーウェハー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-370200 Applicant：株式会社巴川製紙所

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