Pat
J-GLOBAL ID:200903050631796470
半導体基板の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
堀田 実
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005024838
Publication number (International publication number):2005252244
Application date: Feb. 01, 2005
Publication date: Sep. 15, 2005
Summary:
【課題】 SOI層とガラス基板を強固に結合するために、800°Cを超える高温での熱処理を必要とせず、ガラス基板の構成材料として融点の低いものを用いることができ、これにより、半導体基板の製造コストを下げることができる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1と透明な絶縁基板2を用いて、半導体薄膜層を有する半導体基板を製造する半導体基板の製造方法。半導体ウエハに半導体薄膜層を形成する薄膜形成工程S1と、半導体ウエハと絶縁基板の表面を洗浄し、基板の一面を貼り合わせる貼合わせ工程S2と、熱処理により貼合わせ面の接合強度を高める熱処理工程S3と、半導体薄膜層を絶縁基板上に剥離工程S4と、絶縁基板に、レーザ光を半導体薄膜層側または透明な絶縁基板側から照射して半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、半導体薄膜層と透明な絶縁基板を強固に結合させるレーザ光照射工程S5とを備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体ウエハと透明な絶縁基板を用いて、半導体薄膜層を有する半導体基板を製造する半導体基板の製造方法において、
前記半導体ウエハに半導体薄膜層を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程後に、前記半導体ウエハと前記絶縁基板の表面を洗浄し、基板の一面を貼り合わせる貼合わせ工程と、
前記貼合わせ工程後に、熱処理により前記貼合わせ面の接合強度を高める熱処理工程と、
前記熱処理工程後に、前記半導体薄膜層を絶縁基板上に剥離させる剥離工程と、
前記剥離工程後に、絶縁基板に、レーザ光を前記半導体薄膜層側または前記透明な絶縁基板側から照射して前記半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、前記半導体薄膜層と前記透明な絶縁基板を強固に結合させるレーザ光照射工程と、を備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4):
H01L27/12
, B23K26/00
, H01L21/02
, H01L21/265
FI (4):
H01L27/12 B
, B23K26/00 E
, H01L21/02 B
, H01L21/265 Q
F-Term (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
-
SOIウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるSOIウエーハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-329507
Applicant:信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社
-
半導体ウェハ及びその製作法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-015756
Applicant:信越半導体株式会社
-
半導体基板及び半導体基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-147939
Applicant:株式会社デンソー
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-086999
Applicant:シャープ株式会社
-
電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-008981
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
加熱装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-010348
Applicant:株式会社日立製作所
-
薄膜処理方法及び薄膜処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-136646
Applicant:日本電気株式会社, 住友重機械工業株式会社
-
非単結晶シリコン薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-314595
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-337670
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
Show all
Cited by examiner (9)
-
半導体基板及び半導体基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-147939
Applicant:株式会社デンソー
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-086999
Applicant:シャープ株式会社
-
電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-008981
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
加熱装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-010348
Applicant:株式会社日立製作所
-
薄膜処理方法及び薄膜処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-136646
Applicant:日本電気株式会社, 住友重機械工業株式会社
-
半導体材料の改良された薄膜製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-550133
Applicant:コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
-
非単結晶シリコン薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-314595
Applicant:富士通株式会社
-
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-337670
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
SOIウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるSOIウエーハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-329507
Applicant:信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社
Show all
Return to Previous Page