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J-GLOBAL ID：200903003425762618

プラズマ研磨装置

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明

, 
太田 与浩

About 太田 与浩

, 
今橋 一成

About 今橋 一成


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998236530
Publication number (International publication number)：2000058521
Application date： Aug. 08, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 一度に複数枚の被研磨体に対して効率良く、しかも機械的ダメージを与えることなく表面研磨を行なうことができるプラズマ研磨装置を提供する。【解決手段】 内部雰囲気が真空引き可能になされた研磨容器14と、この研磨容器内へ収容されて、複数の被研磨体Wを載置するために回転可能になされた回転載置台16と、前記回転載置台上の前記被研磨体の回転軌跡上に設けられ、前記回転する被研磨体に対して高周波によりプラズマ化された表面研磨用のプラズマエッチングガスを供給するプラズマエッチングガス供給手段48とを設ける。これにより、一度に複数枚の被研磨体に対して効率良く、しかも機械的ダメージを与えることなく表面研磨を行なう。
Claim (excerpt)：
内部雰囲気が真空引き可能になされた研磨容器と、この研磨容器内へ収容されて、複数の被研磨体を載置するために回転可能になされた回転載置台と、前記回転載置台上の前記被研磨体の回転軌跡上に設けられ、前記回転する被研磨体に対して高周波によりプラズマ化された表面研磨用のプラズマエッチングガスを供給するプラズマエッチングガス供給手段とを設けたことを特徴とするプラズマ研磨装置。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 621
FI (3)：
H01L 21/302 L ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/304 621 Z
F-Term (53)：
4K057DA04 ,  4K057DB01 ,  4K057DB08 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DD04 ,  4K057DD08 ,  4K057DD09 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG02 ,  4K057DG07 ,  4K057DG08 ,  4K057DG12 ,  4K057DG13 ,  4K057DG15 ,  4K057DG16 ,  4K057DM02 ,  4K057DM04 ,  4K057DM13 ,  4K057DM18 ,  4K057DM35 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004AA09 ,  5F004AA11 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BD07 ,  5F004CA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA06 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB13 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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