半導体素子の製造方法および製造装置、および平坦化工程用プラズマ処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058131
Publication number (International publication number)：1998256233
Application date： Mar. 12, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】レジストエッチバック法を用いずに、ドライエッチング工程のみによって絶縁膜表面の平坦化を行うことのできる半導体素子の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】高密度のガス雰囲気中で、高周波電界によってプラズマを発生させることにより絶縁膜と化学反応するラジカルを生成する工程と、基板表面に平行なガス流によってラジカルを移送し、そのことにより絶縁膜の凸部へラジカルを選択的に供給する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された段差部を覆うように形成された絶縁膜を平坦化する工程を有する半導体素子の製造方法であって、該絶縁膜を平坦化する工程は、高密度のガス雰囲気中で、高周波電界によってプラズマを発生させることにより該絶縁膜と化学反応するラジカルを生成する工程と、該基板表面に平行なガス流によって該ラジカルを移送し、そのことにより該絶縁膜の凸部へ該ラジカルを選択的に供給する工程と、を含む、半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/302 L , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ処理装置および基体のプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-027875 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ表面加工方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-135247 Applicant：東芝機械株式会社
低融点無機材料を使用する集積回路構造の改良された平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-013590 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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