半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994044453
Publication number (International publication number)：1995254695
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】素子温度の上昇による結晶欠陥を防止できる素子構造を提供すること。【構成】p型ZnSe層101と、このp型ZnSe層101の表面の一部を覆うn型ZnSe層102と、このn型ZnSe層102により覆われていない部分のp型ZnSe層101の表面にコンタクトする金属電極103とを備えている。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体層と、この第1導電型の半導体層の表面の一部を覆う第2導電型の半導体層と、この第2導電型の半導体層により覆われていない部分の前記第1導電型の半導体層の表面および前記第2導電型の半導体層の表面にコンタクトする電極とを具備してなり、前記半導体層が II-VI族化合物半導体または窒素を含む III-V族化合物半導体からなることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

オーミック電極及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-160101 Applicant：ソニー株式会社
薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-055962 Applicant：株式会社東芝
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-179198 Applicant：株式会社東芝

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