Pat
J-GLOBAL ID：200903003473002234

多重量子井戸型半導体発光素子

Inventor：
玉村 好司

About 玉村 好司

, 
野口 裕泰

About 野口 裕泰


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997212230
Publication number (International publication number)：1998294530
Application date： Aug. 06, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 均一な発光をする発光特性に優れた半導体発光装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2とn型AlGaInPクラッド層3とGaInP/AlGaInPMQW構造の活性層4とp型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6とp型GaAsキャップ層7とを順次成長させ、p型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6およびp型GaAsキャップ層7をメサ構造にし、n型GaAs電流ブロック層8をメサ構造の両側に成長させて積層する。活性層4はn型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層3とp型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層5と50Å厚の(Al0.35Ga0.65)0.5 In0.5 Pバリア層と40Å厚の中央に位置するGa0.52In0.48P量子井戸層と、46Å厚のクラッド層寄りのGa0.52In0.48P量子井戸層からなっている。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板上に、少なくとも第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に設けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層からなる半導体発光素子において、活性層部が3個以上の量子井戸を有する際に、中央の1個以上の量子井戸とクラッド層に隣接する両端の2個の量子井戸の厚さが異なることを特徴とする多重量子井戸型半導体発光素子。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/07
FI (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特開平2-229487
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-315717   Applicant：三菱電機株式会社
Cited by examiner (7)
  • 特開平2-229487
  • 特開平2-229487
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-315717   Applicant：三菱電機株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM