半導体レーザ装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994089854
Publication number (International publication number)：1995297481
Application date： Apr. 27, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】光閉じ込め係数を変化させることなく多重量子井戸活性層に注入されるキャリアの濃度が増加された半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 S-MQW活性層3においてp側に近い障壁層B1の厚さを薄くし、n側に近い障壁層B3の厚さを厚くする。それにより、S-MQW活性層3の全体の厚さおよび井戸層W1,W2,W3,W4の合計の厚さを変えずにS-MQW活性層3に注入されるホールの濃度を増加させる。

Claim (excerpt)：

複数の井戸層および複数の障壁層が交互に積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザ装置において、前記活性層内のn側の井戸層のホール濃度を増加させたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-278543 Applicant：株式会社東芝
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-315717 Applicant：三菱電機株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-361312 Applicant：アンリツ株式会社

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Cited by examiner (6)

光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-278543 Applicant：株式会社東芝
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-315717 Applicant：三菱電機株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-361312 Applicant：アンリツ株式会社

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