半導体レーザ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995052541
Publication number (International publication number)：1996250807
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】多重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザ装置において、量子井戸層の層数を増やして、高出力化ができるようにすることを目的とする。【構成】量子井戸層41aは膜厚3.5nm、量子井戸層41bは膜厚4.5nm、量子井戸層41cは膜厚5.5nm、量子井戸層41dは膜厚6.5nm、量子井戸層41eは膜厚7.5nmとする。そして、量子井戸層41a〜41eは、n型領域である下部ガイド層3に近いほどバンドギャップを広げるようにして、それぞれの量子準位が等しくなるようにすることで、その発振波長が一致する。

Claim (excerpt)：

p型半導体領域とn型半導体領域に挟まれ、前記p型半導体領域より順方向電圧が加えられたとき、前記p型半導体領域より正孔が注入される多重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザ装置において、前記活性層を構成する量子井戸層は、前記n型半導体領域側よりp型半導体領域側になるにつれて、それぞれの量子準位が一致した状態でその膜厚が薄くなっていくことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-264051 Applicant：富士ゼロツクス株式会社
多重量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-299448 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-315202 Applicant：富士通株式会社

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