非極性m面窒化物半導体の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高村順
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007115733
Publication number (International publication number)：2007290960
Application date： Apr. 25, 2007
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

【課題】結晶品質に優れている比較的大口径のサファイア基板を用いたm面窒化物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】ほぼ(11-23)面であるサファイア基板を備える段階と、上記サファイア基板上に非極性m面(10-10)窒化物半導体を成長させる段階と、を含む窒化物半導体の製造方法を提供する。また、他のm面六方晶半導体のための製造工程として同様に適用することができる。また、前記サファイア基板の結晶面がc軸方向に対して、またはc軸方向に垂直の方向に対して約±5°以内のオフ角を有することが好ましい。前記非極性m面窒化物半導体を成長させる段階の前に、前記サファイア基板上にm面六方晶構造を有する緩衝層を成長させる段階をさらに含んでいてもよい。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

ほぼ(11-23)面であるサファイア基板を備える段階と、前記サファイア基板上に非極性m面(10-10)窒化物半導体を成長させる段階とを含む窒化物半導体の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C30B 25/18

FI (3)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C30B25/18

F-Term (38)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC12 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045HA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

米国特許出願公開第2003/0198837号明細書(公開日:2003.10.23、発明者:Michael D.Craven他)
窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-248709 Applicant：ソニー株式会社
気相エピタキシにより低い欠陥密度を有する窒化ガリウム膜を作成するプロセス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-523874 Applicant：リュミログ

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Cited by examiner (4)

窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-248709 Applicant：ソニー株式会社
III-V族窒化物系半導体自立基板及びその製造方法並びにIII-V族窒化物系半導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-162189 Applicant：日立電線株式会社
単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-129971 Applicant：株式会社アライドマテリアル

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