III-V族窒化物系半導体自立基板及びその製造方法並びにIII-V族窒化物系半導体

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平田忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004162189
Publication number (International publication number)：2005343713
Application date： May. 31, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：

【課題】 III-V族窒化物系半導体のエピタキシャル成長に好適な所定のオフ角を有するIII-V族窒化物系半導体自立基板を製造する方法を提供する。【解決手段】 C面からa軸方向またはm軸方向に0.07°〜20°傾いた表面を持つサファイア基板を用い(工程A)、当該基板上にIII-V族窒化物系半導体単結晶のエピタキシャル層を成長させた後(工程B)、エピタキシャル層を前記異種基板から剥離させ(工程C)、所望のオフ角を有するIII-V族窒化物系半導体の自立基板を得る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

六方晶系の結晶構造を有するIII-V族窒化物系半導体単結晶からなる自立基板であって、表面をC面からa軸方向に0.09°以上、24°以下の範囲で傾けることによりオフ角を付けたことを特徴とするIII-V族窒化物系半導体自立基板。

IPC (1)：

C30B29/38

FI (1)：

C30B29/38 D

F-Term (18)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC14 , 4G077TC16 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-052573 Applicant：日亜化学工業株式会社
III族窒化物半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-064345 Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-230925 Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (7)

窒化物系化合物半導体発光およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-005385 Applicant：シャープ株式会社
III族窒化物半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-064345 Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-278308 Applicant：日亜化学工業株式会社

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